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CVD氣相沉積爐

CVD氣相沉積爐

  • 所屬分類(lèi):半導體與其他

  • 點(diǎn)擊次數:
  • 發(fā)布日期:2024/06/15
  • 在線(xiàn)詢(xún)價(jià)
詳細介紹

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        用來(lái)制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。

       主要應用集成電路、半導體照明、微機電系統、功率半導體、化合物半導體、新能源光伏等領(lǐng)域

CVD參數.jpg

           用于滿(mǎn)足CVD-TaC生長(cháng)過(guò)程中的環(huán)境要求。

        控制系統由PLC控制,控制準確,自動(dòng)化程度高,可實(shí)現全自動(dòng)/手動(dòng)無(wú)擾動(dòng)切換,操作簡(jiǎn)單可靠、節省能源、無(wú)環(huán)境污染。

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